-
1 инжекция носителей одного типа
Engineering: single injectionУниверсальный русско-английский словарь > инжекция носителей одного типа
-
2 инжекция носителей одного типа
nmicroel. EinträgerinjektionУниверсальный русско-немецкий словарь > инжекция носителей одного типа
-
3 инжекция
-
4 инжекция
ж. injection -
5 инжекция
Русско-английский словарь по информационным технологиям > инжекция
-
6 канальная инжекция
Русско-английский новый политехнический словарь > канальная инжекция
-
7 монополярная инжекция
adj2) microel. EinträgerinjektionУниверсальный русско-немецкий словарь > монополярная инжекция
См. также в других словарях:
Полупроводники — широкий класс веществ, характеризующихся значениями электропроводности σ, промежуточными между электропроводностью металлов (См. Металлы) (σ Полупроводники 106 104 ом 1 см 1) и хороших диэлектриков (См. Диэлектрики) (σ ≤ 10 10 10 12 ом… … Большая советская энциклопедия
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР — лазер на основе полупроводникового кристалла. В отличие от лазеров др. типов, в П. л. используются излучательные квант. переходы между разрешёнными энергетич. зонами, а не дискр. уровнями энергии (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ). В полупроводниковой активной … Физическая энциклопедия
ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ — (от лат. bi двойной, двоякий и греч. polos ось, полюс) один из осн. элементов полупроводниковой электроники. Создан в 1948 Дж. Бардином (J. Bardeen), У. Браттейном (W. Brattain) и У. Шокли (W. Shockley) (Нобелевская премия по физике, 1956).… … Физическая энциклопедия
ЛАЗЕР — (LASER, аббревиатура слов англ, фразы Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation усиление света в результате вынужденного излучения), устройство, преобразующее разл. виды энергии (электрич., световую, хим., тепловую и др.) в энергию… … Химическая энциклопедия
p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… … Физическая энциклопедия
Электронно-дырочный переход — (p n переход) область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p). Поскольку в р области Э. д. п. концентрация дырок гораздо выше, чем в n области, дырки из n области… … Большая советская энциклопедия
ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД — (р n переход), область полупроводника, в к рой имеет место пространств. изменение типа проводимости от электронной n к дырочной p. Т. к. в р области Э. д. п. концентрация дырок гораздо выше, чем в n области, дырки из р области стремятся… … Физическая энциклопедия
P — n-переход — (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… … Википедия
Р — n-переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия